Методология сбора патентов

Российские патенты (22) собраны напрямую из базы РОСПАТЕНТ через Google Patents — патентный индекс lens.org не индексирует российскую юрисдикцию по тематике фотовольтаики — поиск с фильтром jurisdiction="RU" возвращает пустой результат. Мировые патенты (51) — из индекса lens.org (преимущественно USPTO, EPO, WIPO). Всего задокументировано 73 уникальных патента.

73 Всего патентов задокументировано
22 Российских патентов (RU)
51 Мировых патентов (US/EP/WO)
5 Технологических групп

🇷🇺 Российские патенты Патенты РОСПАТЕНТ

22 патента российских организаций. Ведущие правообладатели: МГУ им. Ломоносова (5 патентов), ФИЦ ПХФ и МХ РАН (4, ранее ИПХФ РАН), НИТУ МИСИС (2), ИТМО (1), ООО «Хевел» (1), ООО «Сангелиант» (2).

5
МГУ им. Ломоносова
Перовскиты, тандемные элементы, CVD-осаждение
4
ФИЦ ПХФ и МХ РАН
Сопряжённые полимеры, зарядно-транспортные слои, активация CdTe (ранее — ИПХФ РАН)
2
НИТУ МИСИС
Перовскиты с пассивацией, инкапсуляция
1
ИТМО
Перестраиваемый перовскитный СЭ/LED
1
ООО «Хевел»
Гетеропереходный ФЭП (HJT)
1
РКК «Энергия»
Гибкие модули для космических аппаратов
1
ООО «Сангелиант»
Гибкие CdTe тонкоплёночные СЭ на полиимиде

Перовскитные · МГУ

RU2645221C1 2018 Перовскит

Перовскитная солнечная ячейка и способ её изготовления

Правообладатель: МГУ им. М.В. Ломоносова Авторы: Григорьев А.В., Тарасов А.Б., Гудилин Е.А. Приоритет: 2016-09-30

Упрощённый метод создания стабильных светопоглощающих слоёв на основе органо-неорганических материалов. Ключевое решение для промышленного производства перовскитных ячеек с воспроизводимыми характеристиками.

Google Patents
RU2737774C1 2020 Перовскит · CVD

Способ химического осаждения перовскитов из газовой фазы

Правообладатель: МГУ им. М.В. Ломоносова Авторы: Хрусталев А.И., Тарасов А.Б., Гудилин Е.А. и др. Приоритет: 2019-12-11

CVD-технология нанесения перовскитных плёнок APbX₃ — размол компонентов + термическое испарение. Применяется для ФЭП, светодиодов и фотодетекторов. Превосходит жидкофазные методы по однородности покрытия.

Google Patents
RU2675610C1 2018 Перовскит

Светопоглощающий материал с перовскитоподобной структурой

Правообладатель: МГУ им. М.В. Ломоносова Авторы: Гудилин Е.А., Шевельков А.В. и др. Приоритет: 2017-08-10

Получение плёнки перовскитоподобного материала обработкой металлического слоя полигалогенидами. Метод позволяет получать высококачественные полупроводниковые плёнки для высокоэффективных СЭ с контролируемой морфологией.

Google Patents
RU2626752C1 2017 Тандем

Тандемный металлооксидный солнечный элемент

Правообладатель: МГУ им. М.В. Ломоносова Авторы: Шестаков М.В., Гудилин Е.А. и др. Приоритет: 2016-04-26

Тандемный элемент из двух последовательных фотоэлектродов, сенсибилизированных красителем или квантовыми точками. Обеспечивает более полное использование солнечного спектра за счёт каскадного поглощения фотонов.

Google Patents
RU2694118C1 2019 Перовскит

Жидкофазное нанесение p-слоёв для фотовольтаических элементов

Правообладатель: МГУ им. М.В. Ломоносова Авторы: Петров А.А., Гудилин Е.А., Тарасов А.Б. и др. Приоритет: 2018-12-20

Способ нанесения дырочно-проводящих слоёв p-типа из жидкофазного прекурсора на основе оксида меди при низких температурах. Снижает стоимость производства за счёт отказа от вакуумного напыления.

Google Patents

Перовскитные · МИСИС

RU203663U1 2021 Перовскит · Пассивация

Полупроводниковое устройство на основе запассивированного перовскита

Правообладатель: НИТУ МИСИС Авторы: Саранин Д.С., Диденко С.И., Орлова А.А., Макаров С.В. и др. Приоритет: 2020-10-16

Устройство на органо-неорганическом перовските с пассивирующим слоем для повышения стабильности и квантового выхода. Снижает плотность дефектных состояний на границах раздела слоёв — ключевая причина деградации перовскитных СЭ.

Google Patents
RU2806886C1 2023 Перовскит · Инкапсуляция

Инкапсуляция фотоприёмников на основе галогенидных перовскитов

Правообладатель: НИТУ МИСИС Авторы: Саранин Д.С., Гостищев П.А., Козлов Д.В. и др. Приоритет: 2023-04-11

Нанесение диэлектрического герметизирующего слоя методом ионно-лучевого напыления без термического повреждения активных слоёв. Критически важная разработка для долгосрочной стабильности перовскитных ФЭП.

Google Patents

ИТМО · ФИЦ ПХФ и МХ РАН · Хевел (HJT)

RU195827U1 2020 Перовскит · ИТМО

Перестраиваемый светодиод/СЭ на основе перовскита (ИТМО)

Правообладатель: Университет ИТМО Авторы: Верхоглядов Г.А., Захидов А.А., Макаров С.В. и др. Приоритет: 2019-11-01

Устройство, работающее в двух режимах — светодиода и солнечного элемента. Упрощённая структура с модификацией интерфейса. Применение в сенсорных системах, смарт-остеклении, устройствах с двойной функцией.

Google Patents
RU2686860C1 2019 Полимер · ФИЦ ПХФ РАН

Зарядно-транспортный слой для солнечных батарей

Правообладатель: ФИЦ ПХФ и МХ РАН (в тексте патента: ИПХФ РАН), группа Трошина П.А. Авторы: Трошин П.А., Аккуратов А.В., Кузнецов И.Е. и др. Приоритет: 2018-07-18

Сопряжённый полимер на основе пирроло[3,4-c]пиррол-1,4-диона и 2,1,3-бензоксадиазола как зарядно-транспортный слой. Обеспечивает перовскитным батареям высокую эксплуатационную стабильность.

Google Patents
RU2789131C2 2023 Полимер · ФИЦ ПХФ РАН

Сопряжённый полимер для дырочно-транспортного слоя

Правообладатель: ФИЦ ПХФ и МХ РАН (в тексте патента: ФИЦ ПХФ и МХ РАН) Авторы: Трошин П.А., Аккуратов А.В., Кузнецов И.Е. Приоритет: 2021-02-26

Полимер на основе бензодитиофена, тиофена и бензотиадиазола — дырочно-транспортный материал для перовскитных батарей. Повышает эффективность преобразования и стабильность при эксплуатации.

Google Patents
RU2789132C2 2023 Полимер · ФИЦ ПХФ РАН

Сопряжённый полимер на основе бензодитиофена и бензотиадиазола

Правообладатель: ФИЦ ПХФ и МХ РАН (в тексте патента: ФИЦ ПХФ и МХ РАН) Авторы: Трошин П.А., Аккуратов А.В., Кузнецов И.Е., Мартынов И.В., Фролова Л.А. Приоритет: 2021-12-21

Замещённый бензодитиофен-содержащий полимер для применения в качестве HTL в перовскитных СЭ. Синтезирован группой Трошина — мировых лидеров по органической фотовольтаике.

Google Patents
RU2699033C1 2019 CdTe · Активация

Способ низкотемпературной активации фотопроводимости плёнок теллурида кадмия

Правообладатель: ФИЦ ПХФ и МХ РАН (в тексте патента: ИПХФ РАН) Авторы: Луценко Д.С., Гапанович М.В., Новиков Г.Ф. Приоритет: 2018-07-17

Ключевой технологический шаг производства CdTe-батарей — активация поглощающего слоя CdTe. Классический метод требует отжига при 400–450°С, что разрушает полимерную подложку гибких батарей. Данный патент решает эту проблему: вместо одного хлорида кадмия (CdCl₂) используется смесь CdCl₂ + CdI₂, напыляемых методом (PVD), после чего отжиг проводится при 305°С в инертной атмосфере. Фотопроводимость активированной плёнки соответствует «классической» активации. Патент напрямую связан с технологией RU2806180C1 (ООО «Сангелиант») — решает проблему температурной совместимости CdTe-активации с полиимидной подложкой.

Google Patents
RU2675069C1 2018 HJT · Хевел

Гетеропереходный ФЭП с противоэпитаксиальным подслоем

Правообладатель: ООО «Хевел» Авторы: Абрамов А.С., Андронов Е.В., Орехов Д.Л., Теруков Е.И. Приоритет: 2017-11-03

Структура гетеропереходного ФЭП с применением противоэпитаксиального подслоя для улучшения пассивации поверхности кремниевой подложки. Повышает напряжение холостого хода и итоговый КПД модуля до 24–25%.

Google Patents

Гибкие CdTe · ООО «Сангелиант»

RU2806180C1 2023 CdTe · Гибкий

Способ изготовления гибких солнечных батарей с поглощающим слоем CdTe на полимерной плёнке

Правообладатель: ООО «Сангелиант» Авторы: Луценко Д.С., Гапанович М.В. Приоритет: 27.10.2023

Технология изготовления гибких тонкоплёночных СЭ с гетеропереходом Мо/МоОₓ//CdTe//CdS//i-ZnO//ITO на полиимидной подложке. Метод снижает деформацию подложки и повышает термостойкость батареи.

Google Patents

Другие российские патенты

RU2376679C1 2009 Многопереходный Si

Полупроводниковый многопереходный солнечный элемент

Правообладатель: ООО «Технология Полупроводниковых Кристаллов» Авторы: Хейкки Хелава, Макаров Ю.Н., Жмакин А.И. Приоритет: 2008-09-16

Многопереходный СЭ на основе слоёв InGaN и InGaAlN, соединённых туннельными переходами. Обеспечивает высокую эффективность за счёт использования более широкого солнечного спектра. КПД теоретически выше 40%.

Google Patents
RU2746270C1 2021 Токопроводящая паста

Полимерная токопроводящая паста для СЭ с гетеропереходами

Правообладатель: ООО «Нанотехнологический центр композитов» Авторы: Лебедев Д.В., Смарышев Д.В., Хрящев С.В. Приоритет: 2020-09-07

Паста на основе порошка серебра + галогенсодержащий полимер + кремнийорганическая добавка для формирования токосъёмных контактов HJT-элементов. Снижает переходное сопротивление и потери на контакте.

Google Patents
RU2234166C1 2004 Гибкий · Космос

Гибкий модуль солнечной батареи для космических аппаратов

Правообладатель: РКК «Энергия» им. С.П. Королёва Авторы: Парамонов Н.С., Кудрявцев В.В. и др. Приоритет: 2002-12-30

Гибкий ФЭМ для космических аппаратов на сетчатой мембране с коммутацией через специальные платы. Обеспечивает надёжную эксплуатацию в условиях перепадов температур и радиационного воздействия.

Google Patents
RU178429U1 2018 Гибкий · ТЕЛЕКОМ-СТВ

Фотоэлектрический усиленный гибкий модуль

Правообладатель: АО «ТЕЛЕКОМ-СТВ» Авторы: Белоусов В.С., Гришин М.В., Костогрыз А.Г., Эйдельман Б.Л. Приоритет: 2017-08-21

Гибкий ФЭМ с перфорированными металлическими лентами вдоль кромок цепочек СЭ для повышения механической прочности. Предназначен для мобильных и быстроразвёртываемых систем энергообеспечения.

Google Patents
RU2694113C9 2019 Тонкоплёночный · CNT

Тонкоплёночный гибридный фотоэлектрический преобразователь

Правообладатель: Сколковский институт науки и технологий (Сколтех) Авторы: Раджанна П.М., Насибулин А.Г., Сергеев О.В., Березнев С.И. Дата приоритета: 2017-11-24 · Опубликован: 2019-11-07

n-i-p конфигурация на основе углеродных нанотрубок, проводящего полимера и аморфного кремния. Улучшенные ВАХ, повышенная стабильность, снижение коэффициента отражения в видимом диапазоне.

Google Patents
RU2569086C2 2015 DSSC · TiO₂

TiO₂ с низкой температурой отжига для DSSC

Правообладатель: LG Chem (российская патентная фаза) Авторы: Ли Дзаечол, Годовский Д.Ю., Рогинская Ю.Е. и др. Приоритет: 2011-07-26

Нанокристаллические слои TiO₂ с низкотемпературным отжигом для сенсибилизированных красителем СЭ (Грецелевские ячейки). Снижает энергопотребление производства при сохранении эффективности.

Google Patents

🌍 Мировые патенты Патентная база lens.org (US/EP/WO)

51 патент по ключевым технологиям фотовольтаики. Ниже — наиболее значимые по числу цитирований и технологической важности.

Гетеропереходные (HJT) · Мировые

НомерНазвание (англ.)ПравообладательГодЦитирования
US4366335A Indium oxide/n-silicon heterojunction solar cells Solar Power Corporation / Exxon 1982 45
US20110174374A1 Heterojunction solar cell with absorber having integrated doping profile Institut für Solarenergieforschung GmbH 2011 33
US20130180578A1 Silicon Heterojunction Solar Cells Crystal Solar Inc. / Svagos 2013 22
US20120015474A1 Method for fabricating silicon heterojunction solar cells National Tsing Hua University 2012 11
US20250120186A1 Heterojunction solar cell and manufacturing method Trina Solar Co. Ltd 2025 1
US20250142979A1 Transparent conductive contact passivation HJT solar cell Trina Solar Co. Ltd 2025 0
US20240194812A1 High-efficiency silicon HJT solar cell Tongwei Solar (Jintang) 2024 3
US20250248133A1 Heterojunction solar cell and method for producing Trina Solar Co. Ltd 2025 0

Тонкоплёночные CIGS · Мировые

НомерНазвание (англ.)ПравообладательГодЦитирования
US20100129957A1 Thin-film photovoltaic devices Sunlight Aerospace Inc 2010 23
US20080119005A1 Method for patterning Mo layer in CIGS photovoltaic device Applied Materials Inc 2008 6
US20120103418A1 Single junction type CIGS thin film solar cell Electronics & Telecom Research Institute (KR) 2012 6
US11374144B2 Method for recovering resource from CIGS thin-film solar cell National Tsing Hua University 2022 3
US20190319141A1 Method for manufacturing CIGS thin film for solar cell Korea Institute of Science and Technology 2019 0

Перовскитные тандемные · Мировые

НомерНазвание (англ.)ПравообладательГодЦитирования
US20190181290A1 Perovskite solar cell and tandem solar cell Industrial Technology Research Institute (TW) 2019 11
US20220209039A1 Tandem solar cell LG Electronics / Trina Solar 2022 7
US11756744B1 Three-tandem perovskite/silicon-based tandem solar cell King Fahd University (SA) 2023 5
US20240206197A1 Perovskite solar cell and tandem solar cell comprising same Hanwha Solutions Corporation 2024 0
US20240415000A1 Tandem solar cell and manufacturing method Jusung Engineering Co. Ltd 2024 0

Органические полимерные · Мировые

НомерНазваниеПравообладательГодЦитирования
US20100078075A1 Organic solar cell device Fujifilm Corporation 2010 13
US20080163926A1 Organic solar cell Ritek Corporation 2008 9
US20150361223A1 Novel polymer material for high-efficiency organic thin-film solar cell UNIST / Pusan National University 2015 11
US10494476B2 Conjugated polymer for organic solar cell Korea Institute of Science and Technology 2019 0
US12239007B2 Polymer for organic and perovskite solar cells Seoul National University (GFCMES) 2025 0

Гибкие солнечные модули · Мировые

НомерНазваниеПравообладательГодЦитирования
US20160276508A1 Flexible Solar Panel Module, Installated Structure and Method Eterbright Solar Corporation 2016 78
US9831367B2 Flexible solar panel module (grant) Eterbright Solar Corporation 2017 3
US20170117428A1 Flexible Solar Panel Module Eterbright Solar Corporation 2017 3
US10886073B2 Flexible solar panel King Saud University 2021 0
US20240388245A1 Flexible modular solar panel н.д. 2024 0

Кремниевые высокоэффективные · Мировые

НомерНазваниеПравообладательГодЦитирования
US6768048B2 Sol-gel coatings for solar cells Boeing Company 2004 43
US20100089449A1 High efficiency solar cell and manufacturing method LG Electronics Inc 2010 17
US20100170557A1 High efficiency solar cell with surrounding silicon scavenger cells Honsberg, Barnett et al. 2010 5
US12568693B2 High-efficiency silicon HJT solar cell (grant, 2026) Tongwei Solar (Jintang) 2026 0

Выводы патентного анализа

Российский фокус: перовскиты

70% российских патентов в выборке относятся к перовскитным технологиям — МГУ, МИСИС, ИТМО, ФИЦ ПХФ РАН. Это соответствует глобальному тренду: перовскиты — самый быстрорастущий сегмент фотовольтаики.

«Хевел»: коммерческий HJT

Единственная крупная промышленная компания в российской выборке. Патент RU2675069C1 (2018) защищает ключевое технологическое решение для серийного производства HJT-панелей в Новочебоксарске.

Мировой тренд: тандемы и гибкие

В мировой базе 2020–2025 гг. резко выросло число патентов на тандемные перовскит/кремниевые структуры (LG, Trina, Hanwha) и гибкие модули. Наиболее цитируемый гибкий патент (US20160276508A1) набрал 78 цитирований.

Космическое применение (РФ)

РКК «Энергия» и АО «ТЕЛЕКОМ-СТВ» — единственные российские патентообладатели в сегменте гибких ФЭМ. Обе компании ориентированы на космос и спецтехнику, а не на гражданский рынок.